假想V4SiC3的相稳定性和物理性质
材料科学
2011-11-01 v2
摘要
我们利用第一性原理方法研究了新预测的层状化合物V4SiC3的相稳定性、力学性质、电子性质、光学性质以及Vicker's硬度。发现该假想化合物具有比类似化合物V4AlC3更高的体积模量和硬度。Mulliken键布居分析表明，用Si原子替代Al原子提高了该化合物的Vicker's硬度。电子能带结构显示其具有金属导电性，且主要贡献来自V 3d态。分波态密度（PDOS）表明，V 3d与C 2s的杂化峰在能量上低于V 3d与Si 3p态的杂化峰，这意味着V 3d - C 2s键强于V 3d - Si 3p键。这些结果与我们的键分析一致。我们进一步讨论了光学性质中所出现特征的起源。V4SiC3被视为一种有前景的介电材料，在作为避免太阳加热的涂层方面，它比V4AlC3、{\alpha}-Nb4SiC3和Ti4AlN3化合物表现出更优异的候选材料潜力。
引用
@article{arxiv.1110.4452,
title = {Phase stability and physical properties of hypothetical V4SiC3},
author = {F. Parvin and M. M. Hossain and A. K. M. A. Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4452},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 4 figures, 3 Table, Correction in Fig. 4 (ref 17 changed to ref 21)