少层NbSe$_2$晶体中的相位滑移线
超导电性
2019-03-25 v1
摘要
我们展示了少层NbSe器件在大电流偏置下的两端与四端输运测量结果。在所有被测样品中，高偏置下的输运特性由一系列因相位滑移线成核引起的电阻跳变主导，相位滑移线是相位滑移中心的二维类比。在点接触器件中，相对简单且均匀的几何结构使得能与Skocpol、Beasley和Tinkham的模型进行定量比较。在扩展晶体中，单条相位滑移线的成核可由宽度与电荷不平衡平衡长度相当的区域的机械应力所诱导。
引用
@article{arxiv.1811.06207,
title = {Phase slip lines in superconducting few-layer NbSe$_2$ crystals},
author = {Nicola Paradiso and Anh-Tuan Nguyen and Karl Enzo Kloss and Christoph Strunk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.06207},
year = {2019}
}