谐波势和晶格势中二元凝聚体的相分离

我们提出了一种修正的高斯变分假设，用于研究束缚在谐波势和光学晶格势中的二元凝聚体，涵盖可混溶和不可混溶区域。该变分假设是恰当的，因为它无需任何先验假设即可实现从可混溶到不可混溶区域的平滑过渡。在光学晶格势中，我们分析了由于光学晶格势深度增加而导致的密度分布压缩。为此，我们建立了一个三势阱模型，并定义了晶格深度与凝聚体分布之间的关系。