具有强 Rashba 耦合的电压门控氧化物界面的相图

我们提出了一个描述氧化物异质结界面处二维电子气的模型，该模型包含了与垂直于界面的电场成正比的 Rashba 自旋 - 轨道耦合。考虑到限制界面处电子气的电场对电子密度的依赖性，我们报道了在零温下，对于现实的自旋 - 轨道耦合值和电子能带结构参数，会发生相分离不稳定性（由负压缩率表征）。我们将分析扩展至有限温度以及存在面内磁场的情况，从而获得了两个 exhibiting 相分离穹顶的相图。通过改变门控电势，相分离穹顶可能会收缩并在零温下消失为一个电荷动态涨落的量子临界点。同样，即使在零温下，平面磁场也可能破坏相分离，从而导致一条量子临界点线。