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COM框架下半填充一维和二维扩展Hubbard模型的相图

强关联电子 2009-11-11 v1

摘要

在一维和二维中,通过复合算子方法中的2-极点近似研究了半填充扩展Hubbard模型,旨在提高描述准一维有机超导体和铜酸盐Cu-O平面所观察到的某些实验特征的可能性。分析了相图(TT-VVVV-UU)关于顺磁金属-顺磁绝缘体-电荷有序相变。详细讨论了相图的相关特征(相变等级、临界点、重入行为)。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0605132,
  title  = {Phase diagrams of half-filled 1D and 2D extended Hubbard model within COM},
  author = {Adolfo Avella and Ferdinando Mancini},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605132},
  year   = {2009}
}