观点：Heusler 界面——超越自旋电子学的机遇？

Heusler 化合物，无论是立方还是六方多晶型，都展现出非凡的电子、磁、弹性和拓扑性质，可与过渡金属氧化物相媲美。迄今为止，对这些量子材料的研究主要集中在块体磁性与热电性质，或自旋电子学应用上。然而更广泛地看，Heusler 化合物为在明确结晶界面上发现与调控涌现性质提供了平台。在此，受外延生长层状 Heusler 异质结构进展的推动，我提出关于 Heusler 界面的愿景，聚焦于超越自旋电子学的前沿与挑战。能够在 GaAs、Ge 和 Si 等技术重要的半导体衬底上外延生长这些材料，为其与现代电子器件的集成提供了直接途径。进一步进展将需要新方法以将化学计量与缺陷控制到“电子级”质量，并在原子尺度上控制界面突变与有序性。