用于低温存储器的周期性 Co/Nb 伪自旋阀
超导电性
2019-04-11 v2
摘要
我们提出一项针对具有可控有效交换能的磁结构用于约瑟夫森开关与存储器的全新研究。作为弱连接的基础，我们提议使用由铁磁（F）层以薄超导体（s）间隔的周期性结构。基于 Usadel 方程的计算表明，相邻 F 层从平行（P）到反平行（AP）排列的切换可显著增强通过结的临界电流。为控制磁排列，我们提议使用周期性系统，其原胞为伪自旋阀 /s//s，其中 与 为具有不同矫顽场的两种磁层。为检验通过整个周期性结构在 AP 与 P 态间可控切换的可行性，我们制备了位于两层 Nb(25nm) 超导层之间的超晶格 [Co(1.5nm)/Nb(8nm)/Co(2.5nm)/Nb(8nm)]。中子散射显示，仅需数十 Oersted 的磁场即可实现平行与反平行排列。
引用
@article{arxiv.1809.10165,
title = {Periodic Co/Nb pseudo spin-valve for cryogenic memory},
author = {N. V. Klenov and Yu. N. Khaydukov and S. V. Bakurskiy and I. I. Soloviev and R. Morari and T. Keller and M. Yu. Kupriyanov and A. S. Sidorenko and B. Keimer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10165},
year = {2019}
}