极薄外延 NbN 薄膜的穿透深度和隧穿研究
超导电性
2010-02-18 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用低频互感技术和低温扫描隧道显微镜 (STM) 的隧穿谱，研究了外延 NbN 薄膜中磁穿透深度和超导能隙的演化。在最佳生长条件下生长的薄膜，其超导转变温度 (Tc) 随膜厚从 50nm 减小到 3nm 而单调地从 15.87K 降至 9.16K。随着膜厚减小，δ(0) 单调减小，而 λ(0) 单调增大。我们观察到，除最薄的两个薄膜外，所有薄膜的 Tc、λ(0) 和 δ(0) 均能很好地由 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 理论描述；在最薄的两个薄膜中，我们在 Tc 附近观察到了 Kosterlitz-Thouless-Berezinski (KTB) 转变的证据。
引用
@article{arxiv.0911.4181,
title = {Penetration depth and tunneling studies in very thin epitaxial NbN films},
author = {Anand Kamlapure and Mintu Mondal and Madhavi Chand and Archana Mishra and John Jesudasan and Vivas Bagwe and L. Benfatto and Vikram Tripathi and Pratap Raychaudhuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.4181},
year = {2010}
}
备注
Modified version with extensive analysis of the KTB transition. One new author added