δ-NbN 结构无序的微观起源：超导性与电子结构的关联
超导电性
2020-10-12 v1 材料科学
摘要
岩盐型氮化铌（δ-NbN）是一种众所周知的超导体，其超导转变温度（Tc）约为 18 K，超导能隙约为 3 meV。δ-NbN 薄膜的 Tc 无论生长条件和晶格参数如何都表现出很大的离散性。在本工作中，我们通过实验与从头算模拟相结合的方法研究 δ-NbN 薄膜中 Tc 受抑制的原子起源。利用电阻率和 X 射线吸收光谱分析了具有不同无序度的溅射 δ-NbN 薄膜。观察到超导性与原子畸变诱导的电子重构之间的强关联。理论分析表明，在富 N 生长条件下，由阳离子空位辅助的原子和分子 N 间隙缺陷会自发形成，并通过抹平费米能级附近的电子态密度而导致 δ-NbN 的 Tc 受到抑制。
引用
@article{arxiv.2010.04509,
title = {Microscopic Origin of Structural Disorder in $\delta$-NbN: Correlation of Superconductivity and Electronic Structure},
author = {Shailesh Kalal and Sanjay Nayak and Akhil Tayal and Jens Birch and Rajeev Rawat and Mukul Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.04509},
year = {2020}
}
备注
5 Pages, 4 figures