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位错-棱耦合决定半相干晶体生长

人机交互 2026-02-19 v1

摘要

半相干晶体在结构合金中决定了强度、稳定性和转化路径,但其三维生长背后的动力学缺陷过程一直未被解决。本文表明,晶体生长是由扩散驱动的、非保守的闭合界面位错网络与纳米尺度生长棱之间的耦合所驱动。面向体心立方/面心立方转化的相场-晶体模拟揭示了强各向异性动力学:端面沿长轴连续推进,而宽面通过离散棱扫描伴随混合滑移-爬行反应增厚。O-晶格分析预测了缺陷网络,解释了通过错位局部化几何的各向异性,并展示了同一位错运动如何容纳转化应变。在 duplex 不锈钢中的奥氏体晶体中,原位透射电子显微镜捕捉了沿习惯面快速棱传播,与预测机制一致。这些结果识别了半相干晶体生长的缺失动力学单元,并为形貌选择建立了可迁移的缺陷动力学框架。

关键词

引用

@article{arxiv.2602.16157,
  title  = {Peeking Ahead of the Field Study: Exploring VLM Personas as Support Tools for Embodied Studies in HCI},
  author = {Xinyue Gui and Ding Xia and Mark Colley and Yuan Li and Vishal Chauhan and Anubhav Anubhav and Zhongyi Zhou and Ehsan Javanmardi and Stela Hanbyeol Seo and Chia-Ming Chang and Manabu Tsukada and Takeo Igarashi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2602.16157},
  year   = {2026}
}

备注

Accepted to CHI 2026