部分子分布函数及基于 BHPS 方法的质子内禀 charm 含量约束

本工作中，给出了一组考虑内禀 charm（IC）贡献的新部分子分布函数。我们关注 EMC 测量对大 $x$ charm 结构函数的影响，当其结合 HERA、SLAC 和 BCDMS 数据时，作为内禀 charm 的最强证据。本文的主要目标是同时确定内禀 charm 概率 ${P}_{c{\bar c/p}}$ 与强耦合 $\alpha_s$。这使我们能够研究这两个量的相互作用以及 IC 贡献存在时对 PDF 的影响。通过考虑在我们的 QCD 分析中可固定或作为自由参数的 $\alpha_s$，我们发现尽管提取的 PDF 中心值及其不确定性没有显著变化，但所得的 ${P}_{c{\bar c/p}}$ 值变化了 7.8\%。本 QCD 分析中提取的 ${P}_{c{\bar c/p}}$ 值与最近报道的 $1.93\%$ 上限一致，该上限首次由 LHC 测量获得。我们表明内禀 charm 概率对强耦合常数以及 charm 质量敏感。在 NLO 下提取的强耦合常数 $\alpha_s(M_Z^2) = 0.1191 \pm 0.0008$ 与世界平均值及现有理论模型吻合良好。