半导体量子比特与 RF 共振器的参数纵向耦合
介观与纳米尺度物理
2025-04-08 v1 量子物理
摘要
本研究对 CMOS 量子比特与远端 RF 共振器之间参数纵向耦合进行了完整的实验表征。遵循 Corrigan 等人 (Phys. Rev. Applied 20, 064005, 2023) 的方法，我们通过在共振器频率上驱动量子比特来激活参数纵向耦合。通过管理量子比特驱动与共振器之间的串扰，系统性地研究了纵向与色散电荷-光子耦合随量子比特-共振器去信噪比和施加驱动电压的依赖性。我们的实验估计的电荷-光子耦合参数与理论简单公式完美吻合，且无需任何拟合参数。我们进一步表明，量子比特状态条件下可实现共振器稳态的比例位移，且纵向耦合常数对共振器光子浓度不敏感。我们的结果为在混合 CMOS cQED 架构中实现基于光子的纵向读出和多个远程自旋的相互作用开辟了探索之路，具有长相干时间的优势。
引用
@article{arxiv.2410.20217,
title = {Parametric longitudinal coupling of a semiconductor charge qubit and a RF resonator},
author = {Victor Champain and Simon Zihlmann and Alessandro Chessari and Benoit Bertrand and Heimanu Niebojewski and Etienne Dumur and Xavier Jehl and Vivien Schmitt and Boris Brun and Clemens Winkelmann and Yann-Michel Niquet and Michele Filippone and Silvano De Franceschi and Romain Maurand},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.20217},
year = {2025}
}
备注
11 pages, 12 figures