局部晶格畸变、电荷与自旋有序系统的参数
超导电性
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
鉴于指示局部晶格畸变、电荷和自旋有序的实验结果, 我们发展了一种现象学方法, 允许我们以少数参数描述铜氧化物及相关体系的电子相图。本文中我们考虑一种三阶参数理论来刻画电荷、自旋和超导性有序。我们因此得出一种三标量场理论。通过将这些标量场耦合到规范场, 我们自然得出类丝状解, 这些解被解释为条纹结构。这与我们关于一维体系在铜氧化物及相关材料物理中发挥重要作用的量子群猜想相吻合。我们展示了这种简单方法能够给出两个一级参数的粗略数值, 可被直观解释为电荷和自旋有序。我们还报告了我们试图理解局部晶格畸变如何参与以及在这两个一级参数中发挥什么作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107003,
title = {Parameters for Systems Exhibiting Local Lattice Distortions, Charge and Spin Ordering},
author = {Sher Alam and T. Yanagisawa and H. Oyanagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107003},
year = {2009}
}
备注
8 pages revtex, Published in AIP Conference Proceedings 554: Int. Sym. on Physics in Local Lattice Distortions, July 23-26, 2000