基于分数量子霍尔效应区自旋跃迁的副费米子支撑平台
介观与纳米尺度物理
2018-06-11 v1
摘要
我们提出了一种基于分数量子霍尔效应区自旋跃迁的、实验上可行的系统，其中副费米子（高阶非阿贝尔激发）有可能实现。我们提供了概念验证实验，表明在特殊设计的异质结构中，填充因子 2/3 处的自旋跃迁可通过静电方式诱导，从而允许对极化进行局部控制，并按需形成具有分数化电荷激发的螺旋畴壁，这是副费米子形成的先决条件。我们还展示了分数量子霍尔效应区中具有不同自旋极化域之间形成的畴壁的精确对角化数值研究，表明当与 s 波超导体耦合时，它们确实拥有副费米子形成所需的电子和磁结构。
引用
@article{arxiv.1709.07928,
title = {Parafermion supporting platform based on spin transitions in the fractional quantum Hall effect regime},
author = {Tailung Wu and Aleksandr Kazakov and George Simion and Zhong Wan and Jingcheng Liang and Kenneth W. West and Kirk Baldwin and Loren N. Pfeiffer and Yuli Lyanda-Geller and Leonid P. Rokhinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07928},
year = {2018}
}
备注
11 pages, p figures