掺杂磁性杂质的横向量子点中人造H$_2$分子的仲-对转变
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2 材料科学
摘要
我们给出了掺杂磁性杂质的横向量子点中人造H分子作为外磁场和柱塞栅电压函数的磁相图。Mn-Mn反铁磁-铁磁转变的起始点跟随电子自旋单态-三重态转变。我们采用组态相互作用方法精确对角化电子-Mn哈密顿量，并将其映射为有效的Mn-Mn海森堡哈密顿量。我们发现，在低/高磁场下的弱/强电子-Mn耦合中，Mn-Mn交换耦合可以用RKKY相互作用/磁极化子来描述。
引用
@article{arxiv.0907.4726,
title = {Para-ortho transition of artificial H$_2$ molecule in lateral quantum dots doped with magnetic impurities},
author = {Ramin M. Abolfath},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.4726},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures