不同量子自旋背景中掺杂空穴的配对与相位相干性

我们研究了注入两种不同自旋背景的空穴的配对结构：短程反铁磁相与对称保护拓扑相。基于密度矩阵重整化群（DMRG）模拟，我们发现尽管两种相中两个空穴之间均存在强束缚，但相位涨落会根据背景中的自旋-自旋关联显著影响配对-配对相关性。这里的相位涨落被识别为一种由自旋非局域控制的内禀弦算符。我们表明，虽然配对振幅普遍较大，但与短程反铁磁相相比，对称保护拓扑相中的相位涨落会显著削弱相干库珀配对。这提供了一个非BCS配对机制的实例，其中配对相位相干性由底层自旋态自洽决定，与铜氧化物中的赝能隙物理存在有趣的相似之处。