过度屏蔽的多通道 SU(N) 近藤模型：大-N 解和共形场论

考虑了具有 SU(N) 自旋对称性和 SU(K) 通道对称性的多通道近藤模型。杂质自旋被选择为 SU(N) 的反对称表示，对应于固定数量的 Abrikosov 费米子 $\sum_{\alpha}f_{\alpha}^{\dagger}f_{\alpha}=Q$。对于多于一个通道 (K>1) 以及所有 N 和 Q 值，该模型显示出与杂质自旋过度屏蔽相关的非费米行为。使用共形场论方法计算了这种非费米液体态的普适低温热力学和输运性质。然后考虑了模型的大-N 极限，其中 K/N 和 Q/N 保持固定。在此极限下，谱密度满足耦合积分方程，对应于一个（时间相关的）鞍点。对这些方程的低频、低温分析揭示了变量 $\omega/T$ 中的普适标度性质，这也由共形不变性预测。解析地获得了普适标度形式，并用于计算模型在大-N 极限下的低温普适性质，例如 T=0 残余熵和残余电阻率，以及与比热和磁化率相关的临界指数。讨论了与“非交叉近似”以及 Cox 和 Ruckenstein 先前工作的联系。