褶皱砷烯纳米带中取向与应变调制的电子结构
介观与纳米尺度物理
2015-02-06 v2
摘要
正交砷烯最近被预测为一种间接带隙半导体。在此，我们证明将砷烯纳米结构化形成纳米带可以成功地将带隙转变为直接带隙。研究发现，窄扶手椅型纳米带和宽锯齿型纳米带具有直接带隙，这主要由面内与面外成键之间的竞争所主导。此外，对纳米带施加应变也会诱导直接带隙，同时有效地调制其输运性质。对扶手椅型结构施加拉伸应变可显著增大带隙能量。在锯齿型结构中，拉伸应变使空穴的有效质量远高于电子，而压缩应变则使其远低于电子。我们的结果对于理解和设计超越石墨烯等平面材料的二维材料电子性质至关重要。
引用
@article{arxiv.1501.06044,
title = {Orientation and strain modulated electronic structures in puckered arsenene nanoribbons},
author = {Z. Y. Zhang and H. N. Cao and J. C. Zhang and Y. H. Wang and D. S. Xue and M. S. Si},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06044},
year = {2015}
}