双量子点的最优激光控制

本文在理论上研究了现实半导体双量子点中的相干单电子控制。利用最优控制理论，我们表明二维双量子点的能谱具有一条完全可控的跃迁线。我们发现，优化的皮秒激光脉冲产生的布居转移保真度 (>0.99) 显著高于传统的正弦脉冲。最后，我们设计了一种由最优脉冲驱动的稳健且快速的电荷开关，这些脉冲在太赫兹激光技术的能力范围内。