光门控太赫兹场驱动反铁磁CuMnAs的开关切换
应用物理
2021-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了利用超快门控可扩展且完全抑制最近报道的太赫兹脉冲在反铁磁CuMnAs薄膜不同电阻态之间诱导的切换。该门控功能由金属层下方半导体衬底中光生瞬态导电并联通道实现。光生载流子寿命决定了抑制的时间尺度。由于我们未观察到光脉冲对CuMnAs状态的直接影响，所有观测效应主要由衬底介导。被抑制电阻切换的样品区域由光斑尺寸决定，从而使我们的方案潜在适用于特征尺寸约100 nm甚至更小的结构化区域的瞬态低功耗掩模。
引用
@article{arxiv.2106.08828,
title = {Optically gated terahertz-field-driven switching of antiferromagnetic CuMnAs},
author = {J. J. F. Heitz and L. Nádvorník and V. Balos and Y. Behovits and A. L. Chekhov and T. S. Seifert and K. Olejník and Z. Kašpar and K. Geishendorf and V. Novák and R. P. Campion and M. Wolf and T. Jungwirth and T. Kampfrath},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.08828},
year = {2021}
}