中文

基于硅亚波长工程光子结构的光学泵浦抑制滤波器

光学 2017-05-30 v1 量子物理

摘要

绝缘体上硅(SOI)平台的高折射率差允许实现超紧凑光子电路。然而,这种高折射率差阻碍了窄带 Bragg 滤波器的实现。这类滤波器通常需要几纳米的波纹宽度或双刻蚀几何结构,从而妨碍了器件制备。在此,我们首次报道了在差分波纹宽度配置下基于亚波长折射率工程的 SOI Bragg 滤波器的实现。所提出的双周期性结构允许在单次刻蚀步骤和宽松的宽度限制下实现窄带抑制。基于这一概念,我们通过实验演示了单次刻蚀、220nm\mathbf{220\,nm} 厚的 Si Bragg 滤波器,其波纹宽度为 150nm\mathbf{150\,nm},抑制带宽为 1.1nm\mathbf{1.1\,nm},消光比超过 40dB\mathbf{40\,dB}。与具有相似带宽的传统单周期性、单次刻蚀对应器件相比,其宽度增加了十倍。

关键词

引用

@article{arxiv.1705.10237,
  title  = {Optical pump-rejection filter based on silicon sub-wavelength engineered photonic structures},
  author = {Diego Pérez-Galacho and Carlos Alonso-Ramos and Florent Mazeas and Xavier Le Roux and Dorian Oser and Weiwei Zhang and Delphine Marris-Morini and Laurent Labonté and Sébastien Tanzilli and Éric Cassan and Laurent Vivien},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1705.10237},
  year   = {2017}
}