电激发下半导体微腔的运行
光学
2018-04-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出一个微观理论，用于描述基于激子-极化激元的异质结构（特别是极化激元激光器）的偏压控制运行。结合半导体异质结构中标量电势和电子与空穴费米准能级的泊松方程、非相干激子库的玻尔兹曼方程以及激子-极化激元平均场的Gross-Pitaevskii方程，我们模拟了系统动力学，最小化自由参数数量，并首次建立了理论阈值特征：粒子数对比施加偏压。该方法还考虑了非线性（激子-激子）相互作用、粒子寿命，并且原则上可考虑异质结构内电荷载流子或极化激元损失的任何弛豫机制，从而能够完整描述关于极化激元输运的现代实验并建模新器件。
引用
@article{arxiv.1605.08447,
title = {Operation of a semiconductor microcavity under electric excitation},
author = {Denis V. Karpov and Ivan G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.08447},
year = {2018}
}