非零 Landau 基态能级引起的准直磁传输 onset 电压位移
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 材料科学
高能物理 - 理论
经典物理
摘要
我们理论上和通过量子模拟器（考虑三维传输效应）研究了平行电场和磁场下的双阱异构结构的相干电子传输。先前归因于阱内圆周频率 的磁场引起的共挮隧穿二极管的 onset 电压位移，被发现是由整个量子区域内非零基（最低）Landau 态能量向上位移所致。虽然圆周频率的空间依赖性被考虑并证实对所考虑的器件和磁场强度而言对共挮隧穿影响不大，但还推导了由磁场导致化学势依赖性引起的 onset 电压位移的校正项。然而，Landau 基态及其非零有限谐挡能 仍是低温下 onset 电压位移的主要贡献。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0112446,
title = {Onset voltage shift due to non-zero Landau ground state level in coherent magnetotransport},
author = {Dae Kwan Kim and Patrick Roblin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112446},
year = {2009}
}
备注
13 pages, and 3 figures. Accepted for publication in Phys. Rev. B