论 Higgs-$R^2$ 模型中的暴胀与再加热特征

我们研究了 Higgs-$R^2$ 模型中的暴胀，并假设轨迹遵循称为极小双场模式的单场近似。利用该近似，我们试图约束 Higgs 的非最小耦合 $\xi$。在暴胀期间，我们研究了 $\xi$ 对非高斯性的影响。我们发现 $\xi$ 不能提供大的非高斯性。本文将再加热阶段划分为二次区和四次区。在二次区，规范玻色子的产生占主导。然而，它不能耗尽整个暴胀子的能量。因此，我们引入了一个具有大耦合的暗物质候选者，其可耗尽整个暴胀子的能量。我们还发现，若 $\xi<4.2$，二次区的振荡会持续到四次区。该模式得到的再加热温度可达 $\sim 10^{10}$ GeV，并强烈依赖于剩余的暴胀子能量密度。相反，若 $\xi>4.2$，振荡仅发生在二次区。由于我们假定在二次区泡利不相容原理成立，规范玻色子到费米子的瞬时衰变受限。因此我们预期再加热温度较低，约为 $\sim 10^9$ GeV。