离轴逃逸电子种子的形成、增长与抑制

新型X射线探测技术使得在Madison Symmetric Torus的静态逃逸电子研究中首次实现了托卡马克边缘逃逸电子（REs）诞生与增长动力学的剖面测量。对于低能量、中空流参数和大电场（$E_{\parallel}/E_{D}$），已分辨出离轴RE种子的线性增长率，与理论和模拟一致。二次指数增长率也首次实现了空间分辨，并与约为Ware pinch量级的对流输运以及高达$10^3\times T_{e,0}$的能量相一致。数值模拟被证明能重现实验观测，包括离轴逃逸电子产生、径向输运和芯部指数增长，以及由于$m=3$共振磁扰动引起的抑制。