InN 中超导相变的观测
介观与纳米尺度物理
2019-03-07 v1
摘要
InN 超导性在 III-V 族半导体中非常特殊，因为其他 III-V 族半导体（如 GaAs、GaN、InP、InAs 等）通常缺乏强共价键，且在低温下极少显示超导性。本文通过电流-电压（I-V）测量探测 InN 中的超导相变。那些与化学不稳定相分离包涵物（如金属铟或 In2O3）的可能联系被 HCl 酸蚀去除。发现 InN 样品可显示不同的相变行为。在具有较大 InN 晶粒尺寸的样品中观察到 II 类超导体中典型的涡旋玻璃（VG）到液体转变。相反，小晶粒尺寸样品的超导性质对酸蚀敏感，在温度趋于零的极限下转变为非零电阻态。我们的工作表明晶粒尺寸与晶间耦合可能是实现 InN 超导性的两个关键因素。若晶粒尺寸与晶间耦合均足够大，InN 超导性可变得稳健且化学稳定。
引用
@article{arxiv.1903.02253,
title = {Observation of superconducting phase transition in InN},
author = {Zhi-Yong Song and Liyan Shang and JunHao Chu and Ping-Ping Chen and Akio Yamamoto and Ting-Ting Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.02253},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures