半导体微腔中跨参量阈值的长寿极化激元态观测
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
通过时间分辨光致发光，研究了半导体微腔中极化激元光学参量振荡器（OPO）在仅泵浦稳态下的激发光谱。在闲频模附近对弱脉冲扰动的响应与基本激发的寿命直接相关。当泵浦强度接近并超过OPO阈值时，观察到寿命的显著增加。这些观测结果可以用接近阈值时动力学的临界减慢以及随后软戈德斯通模的出现来解释。
引用
@article{arxiv.0807.3224,
title = {Observation of long-lived polariton states in semiconductor microcavities across the parametric threshold},
author = {D. Ballarini and D. Sanvitto and A. Amo and L. Vina and M. Wouters and I. Carusotto and A. Lemaitre and J. Bloch},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3224},
year = {2009}
}