单晶硅超快电子衍射中大多重散射效应的观测
材料科学
2018-02-07 v1
摘要
我们报道了高质量单晶硅上的超快电子衍射。布拉格峰的超快动力学表现出巨大的光致响应，这只能在动力学衍射理论框架内，考虑探测电子在样品中的多重散射来解释。特别地，我们表明光激发后的晶格加热可导致布拉格峰强度的意外增加，这与众所周知的Debye-Waller效应相矛盾。我们预期，在高质量晶体的超快电子衍射中应系统考虑多重散射，因其主导了布拉格峰动力学。此外，考虑多重散射效应为研究准完美晶体中缺陷的非平衡动力学开辟了定量研究的途径。
引用
@article{arxiv.1711.06152,
title = {Observation of large multiple scattering effects in ultrafast electron diffraction on single crystal silicon},
author = {I. Gonzalez Vallejo and G. Gallé and B. Arnaud and S. A. Scott and M. G. Lagally and D. Boschetto and P. E. Coulon and G. Rizza and F. Houdellier and D. Le Bolloc'h and J. Faure},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.06152},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 7 figures (including supplementary information)