拓扑晶体绝缘体中狄拉克节点形成与质量获得的观测
介观与纳米尺度物理
2014-03-18 v1 材料科学
强关联电子
摘要
在最近发现的拓扑晶体绝缘体 (TCIs) 中，拓扑性与晶体对称性相互交织，产生了具有一组独特特性的表面态。关于 TCIs 的理论预测包括通过破坏晶体对称性赋予无质量狄拉克费米子质量的可能性，以及伴随费米面拓扑变化的 Lifshitz 相变。在此，我们报告了对 TCI 材料 Pb1-xSnxSe 的高分辨率扫描隧道显微镜研究。我们展示了由晶体对称性保护的零质量狄拉克费米子的形成，以及通过对称性破缺产生质量的机制，这些构成了 TCIs 的定义性特征。此外，我们展示了由 Lifshitz 相变点的 Van-Hove 奇异性分隔的两个不同的费米学区域。我们的工作为调控狄拉克能隙以及在 TCIs 中实现相互作用驱动的拓扑量子现象铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1305.2823,
title = {Observation of Dirac node formation and mass acquisition in a topological crystalline insulator},
author = {Yoshinori Okada and Maksym Serbyn and Hsin Lin and Daniel Walkup and Wenwen Zhou and Chetan Dhital and Madhab Neupane and Suyang Xu and Yung Jui Wang and R. Sankar and Fangcheng Chou and Arun Bansil and M. Zahid Hasan and Stephen D. Wilson and Liang Fu and Vidya Madhavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.2823},
year = {2014}
}