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晚期并合中被 Compton 厚物质遮蔽的 [O IV] 与 [Ne V] 弱 AGN

星系天体物理 2024-02-12 v1 高能天体物理现象

摘要

我们研究了在极/超亮红外星系 (U/LIRGs) 中几乎完全被核周物质覆盖的“埋藏”活动星系核 (AGN),它们显示出来自窄线区的弱电离线。采用 [O IV] 25.89-um 或 [Ne V] 14.32-um 谱线与 12-um AGN 光度之比作为指标,我们在本地 U/LIRGs 的 30 个 AGN 中发现了 17 个 [O IV] 弱 (L[OIV]L_{\rm [O\,IV]}/L12,AGNL_{\rm 12,AGN} \leq -3.0) 或 [Ne V] 弱 (L[NeV]L_{\rm [Ne\,V]}/L12,AGNL_{\rm 12,AGN} \leq -3.4) 的埋藏 AGN 候选者。对于 [O IV] 弱 AGN,我们利用 X 射线团块环面模型估算其 Compton 厚 (CT;NH1024N_{\rm H} \geq 10^{24} cm2^{-2}) 物质的覆盖分数,平均值为 fCT(spec)=0.55±0.19f^{\rm (spec)}_{\rm CT} = 0.55\pm0.19。该值与 U/LIRGs 中 [O IV] 弱 AGN 中 CT AGN 的比例 (fCT(stat)=53±12f^{\rm (stat)}_{\rm CT} = 53\pm12%) 一致,且远大于 Swift/BAT AGN 中的比例 (23±623\pm6%)。[O IV] 弱 AGN 的比例从 2710+1327^{+13}_{-10}% (早期并合) 增加到 6612+1066^{+10}_{-12}% (晚期并合)。使用 [Ne V] 谱线也得到了类似的结果。晚期并合中的 [O IV] 或 [Ne V] 弱 AGN 显示出比 Swift/BAT AGN 更大的 NHN_{\rm H} 和 Eddington 比 (λEdd\lambda_{\rm Edd}),且最大的 NHN_{\rm H}logλEdd{\log}\lambda_{\rm Edd} \sim -1 时 \gtrsim1025^{25} cm2^{-2},接近 CT 物质的有效 Eddington 极限。这些结果表明:(1) 埋藏 AGN 中的核周物质受到高 λEdd\lambda_{\rm Edd} AGN 对 CT 遮蔽体的辐射力的调节;(2) 它们在 U/LIRGs 中具有大 fCT(spec)f^{\rm (spec)}_{\rm CT} (0.5±0.1\sim 0.5 \pm 0.1) 的致密物质是造成埋藏 AGN 独特结构的可能原因,其物质数量可能通过寄主星系并合诱导的补给来维持。

关键词

引用

@article{arxiv.2402.05992,
  title  = {[O IV] and [Ne V]-weak AGNs Hidden by Compton-thick Material in Late Mergers},
  author = {Satoshi Yamada and Yoshihiro Ueda and Taiki Kawamuro and Claudio Ricci and Yoshiki Toba and Masatoshi Imanishi and Takamitsu Miyaji and Atsushi Tanimoto and Kohei Ichikawa and Martin Herrera-Endoqui and Shoji Ogawa and Ryosuke Uematsu and Keiichi Wada},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2402.05992},
  year   = {2024}
}

备注

13 pages, 10 figures, and 1 table, accepted for publication in ApJ