面向新一代 3 GeV 同步辐射光源的新型双三弯铁消色差(DTBA)晶格设计
加速器物理
2018-07-19 v2
摘要
双三弯铁消色差 (DTBA) 晶格~\cite{DTBAipac16} 是一种面向新一代 3 GeV 同步辐射光源的新型晶格设计。从对 ESRF 开发的混合多弯铁消色差 (HMBA) 晶格~\cite{ESRF} 的改进出发，并受 Diamond 开发的双双弯铁消色差 (DDBA) 晶格~\cite{Diamond1, Diamond2} 启发，DTBA 结合了两种单元的优点。典型的 MBA 晶格单元有一个专用于插入件的直线节，而这一新单元布局有两个这样的漂移段，从而增加了可用于安装插入件的空间比例。DTBA 晶格实现了约 的发射度、 的动态孔径（在注入点计算）、 的注入效率以及含误差时 的寿命。文中详细给出了 DTBA 的特性、线性与非线性光学优化的方法与结果（含与不含误差的情况）。
引用
@article{arxiv.1801.02522,
title = {Novel Double Triple Bend Achromat (DTBA) lattice design for a next generation 3 GeV Synchrotron Light Source},
author = {A. Alekou and R. Bartolini and N. Carmignani and S. M. Liuzzo and P. Raimondi and T. Pulampong and R. P. Walker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02522},
year = {2018}
}