低发射度复弯消色差晶格的设计研究
加速器物理
2023-12-06 v2
摘要
近几十年来全球光源经历了快速增长，为满足用户群体日益增长的需求，正朝着更高亮度与更低发射度推进。对更高亮度的追求推动了低发射度环形晶格的发展。目前，所有第四代储存环光源均采用多弯消色差（MBA）晶格的变体。本文中，我们讨论该方法的一种扩展，即相对于未来 NSLS-II 升级的复弯（Complex Bend）消色差（CBA）晶格。将描述晶格设计的详细方法，并给出所开发的晶格。使用复弯方法的益处通过以下得以展示：在束流能量 3 GeV 下实现 23 pm 的小自然发射度；8.4 m 的直线段用于长插入件（IDs），其漂移空间约占环周长的 50%；基于永磁体的紧凑环元件（复弯）；以及电源数量的大幅减少。我们的新方法为下一代光源晶格设计提供了对 MBA 概念的扩展。
引用
@article{arxiv.2310.20010,
title = {Design study of a low emittance complex bend achromat lattice},
author = {Minghao Song and Timur Shaftan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.20010},
year = {2023}
}