非局域电子-声子相互作用作为铜氧化物中动态电荷条纹的来源

我们针对La2CuO4，计算了在绝缘态、欠掺杂赝能隙态以及分别对应于最佳掺杂和过掺杂的更常规金属态中，由声子诱导的电子电荷密度重新分布。研究针对反常的高频氧键伸缩模（OBSM）进行，实验已知这些模式在铜氧化物掺杂时表现出强烈的频率软化。OBSM这种很可能具有普适性的反常行为已被证明源于由离子上电荷涨落介导的强非局域电子-声子相互作用（EPI）。铜氧化物竞争电子态的建模是通过电荷响应的连续轨道选择性不可压缩-可压缩转变来实现的。我们证明，在这些态中OBSM的软化是由于非局域诱导的动态电荷不均匀性，其形式为沿CuO键具有不同轨道特征的电荷条纹。因此，多轨道方法对于CuO平面至关重要。这些动态电荷不均匀性反过来可被视为静态电荷条纹序的前兆，正如最近在La$_{2-x}$Ba$_{x}$CuO$_{4}$中在x=1/8附近的宽掺杂范围内所观察到的那样。后者可能触发费米面重构为掺杂减少的小口袋。我们认为，在赝能隙态中，Cu3d轨道的不可压缩性与O2p轨道的可压缩性同时存在，似乎是形成动态条纹所必需的。