半导体中轨道光电流的非线性响应理论
介观与纳米尺度物理
2026-04-01 v1
摘要
关于自旋和轨道自由度非线性响应的近期理论研究发现了自旋和轨道光电流的类似物，具有表征拓扑材料和应用的潜力。在本文中，我们发展了计算半导体中自旋和轨道电流的一般理论，并研究了Bernevig-Hughes-Zhang和Luttinger模型中光学响应的性质，其中发生了非线性轨道响应和拓扑相变。我们研究了拓扑相变处光学响应的演化及其表现方式。此外，我们发现轨道电导率的弛豫时间依赖性与光电流有所不同。该理论可直接应用于真实材料的复杂模型，允许对轨道和自旋的非线性响应进行定量预测。
引用
@article{arxiv.2603.29653,
title = {Nonlinear response theory for orbital photocurrent in semiconductors},
author = {Kakeru Tanaka and Hiroaki Ishizuka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.29653},
year = {2026}
}
备注
11 pages, 10 figures