非标准哈密顿量对中微子振荡的影响

我们研究了非标准哈密顿量对中微子振荡的影响，这些效应是真空或物质哈密顿量的有效额外贡献。由于这些效应可以以两种基底方式进入，我们发展了对这两种基底之间差异的理解，以表征其背后的理论模型。特别地，这些效应中最简单的一种被分类为“纯”味或质量效应，其中“纯”效应的出现在理论模型中作为领先的非标准贡献是相当可信的。与探索特定效应的早期研究不同，我们致力于对未来长基线中微子振荡精密实验中可能“新物理”信念签名进行自上而下的分类。我们发展了一个处理两种中微子味道的通用框架，并讨论了向三味道中微子的扩展，同时我们演示了在数值示例中，中微子工厂如何区分这些效应的理论起源。我们发现，仅凭非标准效应（不包括创建和探测过程中的非标准相互作用）对中微子振荡参数的精度测量会被如何改变，并且如果我们考虑这些效应在几个不同振荡通道能谱上的特定痕迹，便可将哈密顿量层面的非标准效应与其他非标准效应（如中微子退相干和衰变）区分开来。