尽管记忆时间短，磁性半导体中的非马尔可夫自旋转移动力学
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1 量子物理
摘要
我们提出了锰掺杂稀磁半导体中载流子与锰原子之间自旋转移的量子动力学理论。结果表明，与这些过程相关的典型记忆时间比自旋转移的时间尺度短几个数量级。然而，通过忽略记忆得到的马尔可夫速率方程仅对体系统有效。对于量子阱和量子线，在某些条件下量子动力学结果定性偏离马尔可夫极限。初始制备的过剩电子自旋不是单调衰减，而是出现过冲甚至相干振荡。我们证明这些特征是由能量-时间不确定关系导致的载流子能量重新分布引起的。
引用
@article{arxiv.1303.4322,
title = {Non-Markovian spin transfer dynamics in magnetic semiconductors despite short memory times},
author = {Christoph Thurn and Moritz Cygorek and Vollrath Martin Axt and Tilmann Kuhn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4322},
year = {2015}
}