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石墨烯中的非平衡电子弛豫

强关联电子 2019-09-04 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们应用记忆函数形式论的强有力方法来研究石墨烯中的非平衡电子弛豫。在双温模型(TTM)的假设下,得到了记忆函数或广义Drude散射率(1/τ1/\tau)虚部的显式表达式。在直流极限以及电子温度(TeT_e)等于声子温度(T)的平衡情形中,我们重现了已知结果(即当T<<ΘBGT<<\Theta_{BG}1/τT41/\tau \propto T^4,当T>>ΘBGT>>\Theta_{BG}1/τT1/\tau \propto T,其中ΘBG\Theta_{BG}为Bloch-Grüneisen温度)。我们报道了在泵浦-探测光谱实验中相关的TTeT \neq T_e1/τ1/\tau的若干新结果。在有限频率区间,我们发现当ω<<ωBG\omega<<\omega_{BG}1/τω21/\tau \propto \omega^2,而当ω>>ωBG\omega>>\omega_{BG}时其与ω\omega无关且也与电子温度无关。这些结果可在典型的石墨烯泵浦-探测实验装置中得到验证。

关键词

引用

@article{arxiv.1801.04321,
  title  = {Non-equilibrium electron relaxation in Graphene},
  author = {Luxmi Rani and Pankaj Bhalla and Navinder Singh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.04321},
  year   = {2019}
}

备注

5 figures and 2 Tables