中文

玻璃中因活化能分布导致的非 Arrhenius 离子电导率

材料科学 2012-10-02 v1

摘要

此前在快离子导电玻璃中观察到的非 Arrhenius 行为 [\textit{Phys.\ Rev.\ Lett.}\ \textbf{76}, 70 (1996)] 出现在接近玻璃化转变温度 TgT_{g} 的区域,归因于离子俘获机制引起的离子迁移率变化,该机制降低了电导率并导致电导率随温度升高而下降。直观上,玻璃中的无序也会导致离子传导的活化能分布 (DAE),这应使电导率随温度升高而增加,但文献中尚未确认这一点。本文报道了对组分范围为 0x10 \leq x \leq 10.5Na2S+0.5[xGeS2+(1x)PS5/2]0.5{Na}_{2}{S}+0.5[x{GeS}_{2}+(1-x){PS}_{5/2}] 玻璃系列的高精度离子电导率测量结果。利用 DAE 模型识别并解释了阳离子位点无序对活化能的影响。解释了其他玻璃中缺乏非 Arrhenius 行为的原因,并预测了哪些玻璃有望增强 DAE 对离子电导率的影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1210.0132,
  title  = {Non-Arrhenius ionic conductivities in glasses due to a distribution of activation energies},
  author = {C Bischoff and K Schuller and S P Beckman and S W Martin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0132},
  year   = {2012}
}

备注

2 figures