偏置冷却在掺杂 Si/SixGe1-x 量子点中的噪声降低
介观与纳米尺度物理
2024-05-10 v2 材料科学
摘要
硅-锗异构结构是一种有前景的量子电路平台，但关于长期电荷动力学和冷却到冷却之间变化的关键方面仍缺乏定量研究。本文 presenting 对掺杂硅-锗量子点（带 Al2O3 介质）进行大规模偏置冷却研究的结果。我们在调查过程中进行了超过 80 次冷却。通过测量 200 微希至 10 毫希频率范围内的低频电荷噪声来评估器件性能。我们将总噪声功率随冷却时施加电压的变化测量给四个不同器件，并在所有观察到的样本中发现噪声在 0.7V 偏置冷却电压处达到最小值。我们成功将总噪声功率中位数降低了 6 倍，并通过薛定谛-泊松模拟计算出较低的隧穿电流密度。此外，我们展示了在相同器件在 11 次进行相同条件下冷却的噪声变化情况。
引用
@article{arxiv.2405.00238,
title = {Noise reduction by bias cooling in gated Si/SixGe1-x quantum dots},
author = {Julian Ferrero and Thomas Koch and Sonja Vogel and Daniel Schroller and Viktor Adam and Ran Xue and Inga Seidler and Lars R. Schreiber and Hendrik Bluhm and Wolfgang Wernsdorfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.00238},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 8 figures, silicon, SiGe, heterostructure, bias cooling, experiment, simulation