拓扑绝缘体Bi2Te3的核磁共振研究
介观与纳米尺度物理
2017-01-19 v1 材料科学
摘要
对铋碲拓扑绝缘体进行了Te核磁共振研究，温度范围从室温宽至12.5 K。测量在Bruker Avance 400脉冲谱仪上进行。核磁共振谱采集了研磨粉末样品以及c轴平行和垂直于磁场的单晶堆叠片。热激活对应的激活能。c平行磁场的堆叠片谱在91 K以下表现出某些特殊行为。
引用
@article{arxiv.1701.05140,
title = {NMR studies of the topological insulator Bi2Te3},
author = {A. O. Antonenko and E. V. Charnaya and D. Yu. Nefedov and D. Yu. Podorozhkin and A. V. Uskov and A. S. Bugaev and M. K. Lee and L. J. Chang and S. V. Naumov and Yu. A. Perevozchikova and V. V. Chistyakov and J. C. A. Huang and V. V. Marchenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.05140},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 11 figures,1 table