用于集成电路重分布层电流成像的金刚石氮空位中心
仪器与探测器
2015-12-04 v1 材料科学
摘要
我们提出一种基于金刚石中氮-空位（Nitrogen-Vacancy, NV）中心系综的新技术，用于对集成电路（Integrated Circuit, IC）进行磁电流成像（Magnetic Current Imaging, MCI）。金刚石中的 NV 中心能够以亚微米分辨率，在 50 x 200 {\mu}m^2 视场内测量 IC 结构中 mA 级电流所产生的磁场的三个分量。矢量测量允许使用比基于巨磁阻（Giant Magneto Resistance, GMR）或超导量子干涉器件（Superconducting Quantum Interference Device, SQUID）传感器的 MCI 更鲁棒的算法，并为电流重构开辟了新前景。由这些测量计算出的 MCI 与理论电流路径非常吻合。采集时间约 10 秒，远快于使用 SQUID 或 GMR 的扫描测量。实验装置依托标准光学显微镜，测量可在室温与大气压下进行。这些尚未针对 IC 优化的早期实验表明，金刚石 NV 中心可能成为 IC 中 MCI 的真正替代方案。
引用
@article{arxiv.1512.01102,
title = {Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond for Current Imaging at the Redistributive Layer Level of Integrated Circuits},
author = {Antoine Nowodzinski and Mayeul Chipaux and Loïc Toraille and Vincent Jacques and Jean-François Roch and Thierry Debuisschert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01102},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures