Voigt 近似下的中子星壳层 II：有效剪切模量的电子屏蔽修正通用公式

中子星壳层有效剪切模量的主要贡献可在库仑固体模型内计算，并可用简单解析表达式近似，适用于任意（甚至多组分）成分。此处我考虑在托马斯-费米近似下与电子屏蔽相关的修正。具体地，我证明对于相对论性电子（密度 $\rho>10^6$ g\,cm$^{-3}$），该修正可估计为 $\delta \mu_\mathrm{eff}^\mathrm{V}= -9.4\times 10^{-4}\sum_Z n_Z Z^{7/3} e^2/a_\mathrm{e}$，其中求和遍及离子种类，$n_Z$ 为电荷 $Ze$ 的离子数密度，$k_\mathrm{TF}$ 为托马斯-费米屏蔽波数。最后，$a_\mathrm{e}=(4 \pi n_\mathrm{e}/3)^{-1/3}$ 为电子球半径。假定准中性条件 $n_\mathrm{e}=\sum_Z Z n_Z$。该结果对任意（甚至多组分和非晶）物质成立，可应用于中子星壳层及（致密）白矮星核心。例如，对于中子星壳层内典型层 $Z\sim40$，屏蔽修正使剪切模量降低约 $9$\%。