用屏蔽杂化密度泛函理论研究SrTiO3中的中性缺陷
材料科学
2013-06-28 v1
摘要
使用Heyd、Scuseria和Ernzerhof的屏蔽杂化密度泛函计算了SrTiO3中中性缺陷的性质。讨论了形成能、影响SrTiO3能带结构的晶体场分裂以及每个缺陷周围的弛豫几何。发现SrTiO3中引入的氧空位会导致晶格沿z轴产生小的四方伸长。由此产生的导带底电子有效质量偏离体值，并支持了沿压缩应变方向增强电子迁移率的提议。在不引入任何事后修正的情况下估计了SrTiO3带隙内各种缺陷带的位置，从而允许与实验进行更可靠的比较。
引用
@article{arxiv.1303.0471,
title = {Neutral defects in SrTiO3 studied with screened hybrid density functional theory},
author = {Fedwa El-Mellouhi and Edward N Brothers and Melissa J Lucero and Gustavo E Scuseria},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.0471},
year = {2013}
}