弱面内场下基于纳米收缩的自旋霍尔纳米振荡器的互同步

我们研究了基于双纳米收缩的自旋霍尔纳米振荡器（SHNOs）在弱面内场（$\mu_0H_\mathrm{IP}$ = 30-40 mT）下的互同步，并探究了其角依赖性。我们比较了纳米收缩间距为 300 和 900 nm 的不同 SHNOs。在所有器件中，互同步发生在某一临界角以下，该临界角对于 300 nm 间距大于 900 nm 间距，反映了更短距离下更强的耦合。在同步的同时，我们观测到强的二次谐波，与同步可能由二次谐波自旋波传播介导的预言一致。然而，尽管布里渊光散射显微镜证实了同步，却未能检测到任何相关的二次谐波增强。微磁模拟则将这种角依赖的同步主要解释为相邻 SHNOs 之间的磁偶极耦合。