面向拓扑磁结构按需设计的多功能氧化物
材料科学
2020-10-27 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
在设计可运行的斯格明子赛道存储器方面，若干挑战是众所周知的。若研究者仅依赖金属材料，可识别出其中一些矛盾。因此，将斯格明子物理的探索拓展至氧化物材料，对于弥合这一矛盾性鸿沟至关重要。在本专题综述中，我们首先简要回顾稳定与操控斯格明子的相关理论与判据，继而研究偶极稳定磁泡的行为。接下来，我们探讨具有磁电耦合的多铁性斯格明子的性质——迄今其仅在CuOSeO中得以稳定——以及一些极性材料中的罕见块体尼尔型斯格明子。作为插曲章节，我们回顾反常霍尔效应(AHE)与拓扑霍尔效应(THE)的理论，随后梳理THE在氧化物薄膜中的近期进展，并讨论关于一种替代性解释的争议。最后，本综述以利用界面电荷转移与钙钛矿(111)取向等有望推动斯格明子研究领域的策略之未来展望作结。
引用
@article{arxiv.2010.13012,
title = {Multifunctional Oxides for Topological Magnetic Textures by Design},
author = {Z. S. Lim and A. Ariando},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.13012},
year = {2020}
}
备注
31 pages, 17 figures, review on oxide skyrmions. J. Phys. D: Appl. Phys. (2020)