氮空位中心电子量子比特的多发读取误差基准测试

金刚石中带负电的氮空位中心的基态电子自旋可用于室温实验，展示相干量子比特功能。在室温下，基于光致发光的量子比特读取具有较低的单次读取保真度；然而，可以通过多发读取推断量子比特两个基态的布居数。在本工作中，我们计算了多发推理方法的误差对读取过程各参数的依赖关系。该多发读取误差按 $\Delta/\sqrt{N}$ 缩放，其中 $N$ 为读取次数，这提示将系数 $\Delta$ 用作简单的多发读取误差基准。我们的计算考虑了背景光子、光子损失和初始化误差。我们的模型使得能够识别读取误差预算，即各类不完美因素在设定读取误差中所起的作用。我们的结果使实验人员和工程师能够专注于那些在多发读取中带来最高性能增益的硬件改进。