半导体量子比特高保真单次读出基准测试
量子物理
2019-09-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
确定量子比特初始化与测量保真度对量子计算机的整体性能十分重要。然而，在半导体量子比特中计算该保真度的方法因实验而异。在本文中，我们给出电子单次读出的完整理论分析，并描述实现高保真读出的关键参数。特别地，我们推导了基于电荷探测器响应的能量选择性态读出模型，并考察如何通过选择正确实验参数优化保真度。尽管我们聚焦于单电子自旋读出，所呈现理论可应用于半导体中使用库的其他电子读出技术。
引用
@article{arxiv.1811.03630,
title = {Benchmarking high fidelity single-shot readout of semiconductor qubits},
author = {D. Keith and S. K. Gorman and L. Kranz and Y. He and J. G. Keizer and M. A. Broome and M. Y. Simmons},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.03630},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 8 figures