颗粒铝中的 Mott 相变

通过 $\mu$SR 测量直接证明了颗粒 Al 薄膜中存在自由自旋。随着纳米尺寸金属晶粒逐渐去耦合，通过探测传导电子自旋翻转散射率的增加，观察到了 Mott 相变。根据有效费米能量对磁阻的分析表明，在室温电阻率 $\rho \approx 50,000~\mu\Omega~cm$ 时，有效费米能量变得与晶粒的静电充电能量相当，此时已知存在金属到绝缘体的相变。当接近这一相变时，磁阻表现出类似重费米子的行为，这与电子有效质量的增加一致。