半导体微腔中自旋极化激元子弹的运动
介观与纳米尺度物理
2013-09-26 v1
摘要
利用时间和空间分辨光谱研究了强耦合机制下半导体微腔中的光开关动力学。开关由偏振短脉冲触发，这些脉冲产生了高极化激元密度的自旋子弹。由于激子 - 极化激元从高密度区域到低密度区域的弹道传播和漂移，自旋包以约 106 m/s 的速度运动。该速度由激发光束的入射角控制，入射角的变化会改变极化激元的群速度。
引用
@article{arxiv.1309.6344,
title = {Motion of spin polariton bullets in semiconductor microcavities},
author = {C. Adrados and T. C. H. Liew and M. D. Martin and A. Amo and D. Sanvitto and C. Anton and E. Giacobino and A. Kavokin and A. Bramati and L. Vina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.6344},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures