电弱理论的动量位移与全线横向递归关系

我们研究了我们为任意质量粒子的�幅递归开发的全线横向（ALT）位移。我们讨论了ALT 位移对一般自旋$\leq$ 1 理论的有效性，并阐述了在ALT 位移下对大质量自旋-1 �幅的 Ward 同一性与可构造性之间的联系。我们将位移应用于电弱理论，并构建了电弱规范玻色子和夸克的各种四点散射�幅。我们明确显示，质的电弱理论中四点规范玻色子接触项在递归构造后自动出现，独立于 UV 完成，并且它们自动抵消了在高能下以 (energy)$^4$ 增长的项。我们探索了电弱理论的 UV 完成，该完成消除剩余的 (energy)$^2$ 项并施加单元arity 要求以约束额外的耦合。ALT 位移框架允许在可重整的大质量和无质量理论中一致地处理接触项歧义，我们展示了这在研究具有大质量费米子的真实世界�幅时是有用的。